2026-11-04 · Fonte：Tom's Hardware
O processo FD-SOI dobra a densidade de transistores em relação ao 22FDX, com produção planejada para 2028, enquanto a fabricante reativa um caminho de nó avançado que havia engavetado.
Sete anos é muito tempo para ficar de fora da corrida mais decisiva dos semicondutores. A GlobalFoundries, que abandonou o desenvolvimento de FinFET há sete anos, decidiu agora reentrar no território dos nós avançados — por uma porta diferente.
O veículo desse retorno é a FDX Fusion, um processo de classe 7nm construído sobre FD-SOI. A GlobalFoundries afirma que o novo nó dobra a densidade de transistores em relação ao 22FDX, a plataforma FD-SOI já presente em seu portfólio — um salto substancial dentro da família tecnológica. O anúncio marca o retorno formal da empresa ao desenvolvimento avançado de FD-SOI, um ramo da engenharia de processos que ela engavetou quando recuou das arquiteturas de transistores de ponta e redirecionou seu roadmap para outros rumos.
A produção está planejada para 2028.
A trajetória é a história aqui. Quando a GlobalFoundries abandonou o FinFET há sete anos, a decisão a tirou da corrida de miniaturização que define o topo da indústria, e desde então a empresa opera sobre outra tese. A FDX Fusion estende essa mesma lógica em uma nova direção: em vez de perseguir a arquitetura de transistores de que abriu mão, a fabricante leva sua tecnologia diferenciada de FD-SOI até dimensões de classe 7nm, com a densidade dobrada em relação ao 22FDX servindo como prova concreta por trás do programa. É uma reentrada no desenvolvimento avançado, mas executada nos termos da própria empresa e no substrato que ela mesma escolheu.
Para os compradores de chips, os dois números a acompanhar são a promessa de densidade e o calendário. O salto de 2x sobre o 22FDX define o que a FDX Fusion efetivamente entrega; a meta de produção em 2028 define a que distância está o retorno. Se o nó chegar à fabricação no prazo, a GlobalFoundries voltará a produzir em dimensões de classe 7nm — território que deixou vago ao abandonar o FinFET, agora reconstruído sobre silício-on-isolante em vez da tecnologia de transistores que deixou para trás há sete anos.
Tags: GlobalFoundries · FDX Fusion · FD-SOI · 22FDX · Semiconductor Manufacturing
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