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CXMT terá rendimentos de apenas 25% na HBM3E: processo TSV imaturo trava a aposta no empilhamento

2026-11-04 · Fonte:TechPowerUp

CXMT terá rendimentos de apenas 25% na HBM3E: processo TSV imaturo trava a aposta no empilhamento

Três em cada quatro stacks de HBM3E do fabricante chinês de memórias saem com defeitos, com a culpa atribuída à imatura tecnologia TSV, num momento em que a Samsung, a SK hynix e a Micron avançam para a fase de amostras da HBM4E.

Ao que dão conta os meios de comunicação sul-coreanos, o gigante chinês das memórias CXMT opera com um rendimento de apenas 25% na HBM3E, com três em cada quatro stacks produzidos a sair com defeitos. A revelação surge poucas semanas depois de, no final do mês passado, ter sido dado a conhecer que a empresa havia iniciado a produção de risco de memória HBM3E em lotes limitados — um desenvolvimento que, à época, chegou acompanhado de escassos detalhes. Aquele relatório anterior também posicionava a CXMT duas gerações atrás da Samsung, da SK hynix e da Micron, que já prosseguem com a fase de amostras de HBM4E.

Este resultado evidencia o quanto o empilhamento de DRAM é mais intrincado do que o fabrico de DRAM planar — área na qual, segundo os relatos, a CXMT se destaca. Os fracos rendimentos são atribuídos à imaturidade da tecnologia through-silicon via (TSV) que a empresa utiliza no seu processo de empilhamento. Enquanto a CXMT construiu a sua reputação na produção convencional de DRAM planar, a transição para memória empilhada verticalmente revelou-se consideravelmente mais difícil.

De acordo com a discriminação divulgada, o fabrico na fase de front-end da CXMT atinge rendimentos na ordem dos 30%, enquanto o processamento de back-end entrega aproximadamente 70% sobre essa base — um efeito cumulativo que origina o valor global de 25% agora atribuído à empresa.

O fosso em matéria de TSV face aos concorrentes consolidados é gritante. A Samsung implementa cerca de 5.000 TSVs por camada na HBM2, enquanto a SK hynix recorre a mais de 8.000 por camada na sua HBM3. A CXMT, em contraste, tenta produzir HBM3E com apenas 3.000 TSVs por camada, ao mesmo tempo que procura acomodar oito camadas na configuração habitual de 8-Hi.

Tags: CXMT · HBM3E · TSV · DRAM · Samsung · SK hynix


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